1. 高い熱伝導率：シリコンカーバイドの熱伝導率は従来のシリコン材料よりも大幅に高く、高温環境で熱を効果的に放散し、熱応力を軽減します。
2. 高い破壊電圧：シリコンカーバイドの破壊電圧はシリコンの10倍であり、高電圧アプリケーションに適しており、リーク電流が低減し、デバイスの信頼性が向上します。
3. 高い硬度と耐摩耗性：シリコンカーバイドのモース硬度は9.5と高く、耐摩耗性に優れた材料で、耐摩耗部品の製造に適しています。
3
. 化学的安定性：酸やアルカリの溶剤に対する耐性が良好で、過酷な化学環境での使用に適しています。
4. 広いバンドギャップ特性：高周波、高電圧、高温の動作条件に適しており、従来のシリコンベースの半導体よりも優れています。