SiCは第3世代半導体材料の代表であり、その独特な物理的特性（高貫通抵抗、高透磁率、耐高温性、耐放射線性など）は航空分野で実現されており、その中核的な用途と技術開発は次のとおりです。
1. 中核エリアの様子
航空宇宙用電力システム組立
高効率電力変換：SiC効率デバイス（図2に示すMOSFET）、電力システム全体の効率は物理比で約5倍高く、宇宙船の重量が軽減され、「軽量化」の要求が満たされます。
耐放射線性：国産400V高品質SiC機器）、プロジェクト終了時には真空環境が維持・確立され、深宇宙探査タスクが実施されました（ムーンライトプロセスで見られるように、人は月に登りました）。
放熱の簡素化：放熱性が高く、放熱需要が低く、放熱設備と負荷容量が削減されます。
発見に基づくイノベーション
雷検出能力：SiCベースの雷検出率は密度検出（GaN）の5〜8倍、高温耐性（200℃（移動））、超長距離探査が可能（Jong-20ライデンの探査距離1000km、哈石海峡全体をカバー）。
マルチターゲット追跡：波束形成速度は30％、連続ストロークで20以上のターゲットを描画でき、フィールド状況を感知する能力が向上します。
2.技術的優秀性特性
以下は航空分野におけるSiCの性能です。
性能指標 SiC 装備 技術成果
成功率本体比 高 低 比率は 5 倍近く 10
動作温度: 200℃の高温耐性、一般的な低温 150℃、高温安定性の向上
放射線に強い能力（空全体） 深宇宙環境を満たす能力が弱い
エネルギー変換効率 >95% 80–90% 消費電力の減少、動作時間の延長 3. 今後の課題
拡大方向:
1000 タイル電源モデル: 宇宙船の大きな成功率の需要をサポートします (航空ステーションのエネルギー システムなど)。
マルチエリア融合：SiC照明とセキュリティマシン番号設置統合、建設「バックアップダウン」統合システム
現在の課題:
結晶出力率：現在の容量は1平方メートルあたり0.5平方メートル、長期安定性。
技術的限界：探査距離、大きな傾斜、地球の曲率制御の減少、画期的な材料添加法ボトルの要求。
結論
航空分野におけるセメントシリコンの核心は「量、高効率、高可用性」である。
航空宇宙用動力源：深宇宙探査設備、降下用ロケットなど
軍用雷：強力な航空機、超観測可能な航空機、大型航空機。
国有化の突破：中国の第三世代準主導体制の頂点であり、能力開発と向上の能力を備えている。
今後、材料工学の向上への需要を維持し、システム化を深化させ、軍事防衛への需要を高めていく。